硅微粉是由純凈石英粉經先進的超細研磨工藝加工而成，是用途為廣泛的無機非金屬材料。具有介電性能優異、熱膨脹系數低、導熱系數高、懸浮性能好等優點。因其具有優良的物理性能、的化學穩定性、的光學性質及合理、可控的粒度分布，從而被廣泛應用于光學玻璃、電子封裝、電氣絕緣、陶瓷、油漆涂料、精鑄造、硅橡膠、醫藥、化裝品、電子元器件以及超大規模集成電路、移動通訊、手提電腦、航空航天等生產領域。
硅微粉還是生產多晶硅的重要原料。硅微粉用無水氯化氫（HCl）與之反應在一個流化床反應器中，生成三氯氫硅（SiHCl3），SiHCl3進一步提純后在氫氣中還原沉積成多晶硅。而多晶硅則是光伏產業太陽能電池的主要原材料。近年來，全球能源的持續緊張，使大力發展太陽能成為了世界各國能源戰略的，隨著光伏產業的風起云涌，太陽能電池原材料多晶硅價格暴漲，又促使硅微粉的市場需求迅猛增長，硅微粉呈現出供不應求的局面，更使硅資源擁有者盡享驚人的暴利。
據調查，目前國內生產硅微粉的能力約25萬噸，主要是普通硅微粉，而高純超細硅微粉大量依靠進口。初步預測2005年我國對超細硅微粉的需求量將達6萬噸以上。其中，橡膠行業是大的用戶，涂料行業是重要有巨大潛力的應用領域，電子塑封料、硅基板材料和電子電器澆注料對高純超細硅微粉原料全部依靠進口，僅普通球形硅微粉的價格2—3萬元/噸，而高純超細硅微粉的價格則高達幾十萬元/噸以上。
硅微粉是由純凈石英粉經先進的超細研磨工藝加工而成，是用途為廣泛的無機非金屬材料。具有介電性能優異、熱膨系數低、導熱系數高、懸浮性能好等優點。因其具有優良的物理性能、的化學穩定性、的光學性質及合理、可控的粒度分布，從而被廣泛應用于光學玻璃、電子封裝、電氣絕緣、陶瓷、油漆涂料、硅橡膠、醫藥、化裝品、電子元器件以及超大規模集成電路、移動通訊、手提電腦、航空航天等生產領域。 硅微粉還是生產多晶硅的重要原料。硅微粉用無水氯化氫（HCl）與之反應在一個流化床反應器中，生成三氯氫硅（SiHCl3），SiHCl3進一步提純后在氫氣中還原沉積成多晶硅。而多晶硅則是光伏產業太陽能電池的主要原材料。近年來，全球能源的持續緊張，使大力發展太陽能成為了世界各國能源戰略的，隨著光伏產業的風起云涌，太陽能電池原材料多晶硅價格暴漲，又促使硅微粉的市場需求迅猛增長，硅微粉呈現出供不應求的局面，更使硅資源擁有者盡享驚人的暴利。 據調查，目前國內生產硅微粉的能力約50萬噸，主要是普通硅微粉，而高純超細硅微粉大量依靠進口。初步預測2008年我國對超細硅微粉的需求量將達10萬噸以上。其中，橡膠行業是大的用戶，涂料行業是重要有巨大潛力的應用領域，電子塑封料、硅基板材料和電子電器澆注料對高純超細硅微粉原料全部依靠進口，僅普通球形硅微粉的價格2—3萬元/噸，而高純超細硅微粉的價格則高達幾十萬元/噸以上。
超細硅微粉具有粒度小、比表面積大、化學純度高、分散性能好等特點。以其優越的穩定性、補強性、增稠性和觸變性而在橡膠、涂料、醫藥、造紙、日化等諸多領域得到廣泛應用，并為其相關工業領域的發展提供了新材料的基礎和技術保證，享有“工業味精”“材料科學的原點”之美譽。自問世以來，已成為當今時間材料科學中能適應時代要求和發展快的品種之一，發達國家已經把高性能、高附加植的精細無機材料作為本世紀新材料的加以發展。
近年來，計算機市場、網絡信息技術市場發展迅猛，CPU集程度愈來愈大，運算速度越來越快，家庭電腦和上網用戶越來越多，對計算機技術和網絡技術的要求也越來越高，作為技術依托的微電子工業也獲得了飛速的發展，PⅢ 、PⅣ 處理器，寬帶大容量傳輸網絡，都離不開大規模、超大規模集成電路的硬件支持。
隨著微電子工業的迅猛發展，大規模、超大規模集成電路對封裝材料的要求也越來越高，不僅要求對其超細，而且要求其有低放射性元素含量，特別是對于顆粒形狀提出了球形化要求。高純超細熔融球形石英粉（簡稱球形硅微粉）由于其有高介電、高耐熱、高耐濕、高填充量、低膨脹、低應力、低雜質、低摩擦系數等優越性能，在大規模、超大規模集成電路的基板和封裝料中，成了不可缺少的材料。
為什么要球形化？球的表面流動性好，與樹脂攪拌成膜均勻，樹脂添加量小，并且流動性好，粉的填充量可達到高，重量比可達90.5%，因此，球形化意味著硅微粉填充率的增加，硅微粉的填充率越高，其熱膨脹系數就越小，導熱系數也越低，就越接近單晶硅的熱膨脹系數，由此生產的電子元器件的使用性能也越好。其次，球形化制成的塑封料應力集中小，強度高，當角形粉的塑封料應力集中為1時，球形粉的應力僅為0.6，因此，球形粉塑封料封裝集成電路芯片時，成品率高，并且運輸、安裝、使用過程中不易產生機械損傷。其三，球形粉摩擦系數小，對模具的磨損小，使模具的使用壽命長，與角形粉的相比，可以提高模具的使用壽命達一倍，塑封料的封裝模具價格很高，有的還需要進口，這一點對封裝廠降低成本，提高經濟效益也很重要。
球形硅微粉，主要用于大規模和超大規模集成電路的封裝上，根據集程度（每塊集成電路標準元件的數量）確定是否球形硅微粉，當集程度為1M到4M時，已經部分使用球形粉，8M到16M集程度時，已經全部使用球形粉。250M集程度時，集成電路的線寬為0.25μm，當1G集程度時，集成電路的線寬已經小到0.18μm，目前計算機PⅣ 處理器的CPU芯片，就達到了這樣的水平。這時所用的球形粉為更的，主要使用多晶硅的下腳料制成正硅酸乙脂與四氯化硅水解得到SiO2，也制成球形其顆粒度為 -（10～20）μm可調。這種用化學法合成的球形硅微粉比用的石英原料制成的球形粉要貴10倍，其原因是這種粉基本沒有放射性α射線污染，可做到0.02PPb以下的鈾含量。當集程度大時，由于超大規模集成電路間的導線間距非常小，封裝料放射性大時集成電路工作時會產生源誤差，會使超大規模集成電路工作時可靠性受到影響，因而對放射性提出嚴格要求。而石英原料達到(0.2～0.4) PPb就為好的原料?，F在國內使用的球形粉主要是原料制成的球形粉，并且也是進口粉。
